4月9日，第91屆中國電子展在深圳會(huì )展中心盛大舉辦，作為中國規模最大、最具權威性的綜合性專(zhuān)業(yè)電子展，吸引了眾多業(yè)內知名企業(yè)前來(lái)參展。北京世紀金光半導體有限公司作為第三代半導體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)，攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相展會(huì )，受到業(yè)界人士廣泛關(guān)注。

展會(huì )上，“世紀金光”重點(diǎn)展示了具有自主知識產(chǎn)權的國產(chǎn)碳化硅器件產(chǎn)品，包含可用于新能源汽車(chē)、充電樁、光伏逆變器、電源PFC上的650-1200V的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及全碳化硅功率模塊等。

作為新一代電力電子核心元器件，碳化硅功率器件因其耐高壓、低損耗、高效率等特性，一直被視為“理想器件”而備受期待，在高溫、高頻、大功率、光電子以及抗輻射等方面具有巨大的應用潛力。因而碳化硅功率器件除了可廣泛應用在新能源汽車(chē)、充電樁、光伏逆變器等新能源領(lǐng)域，還可在航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用有著(zhù)不可替代的優(yōu)勢。
世紀金光應用開(kāi)發(fā)工程師孫博士說(shuō)：“世紀金光一直以自主創(chuàng )新為源頭，不斷突破核心技術(shù)，以1200V碳化硅肖特基二極管為例，我們通過(guò)采用優(yōu)化的表面電場(chǎng)抑制技術(shù)，進(jìn)一步降低了正向壓降和反向漏電，在典型應用場(chǎng)景里，相比現有傳統硅器件方案，其器件總損耗可降低約一半；而超低漏電流可達到百nA級，因此可應用于更為嚴酷的高溫環(huán)境。產(chǎn)品全部達到AEC-Q101產(chǎn)品質(zhì)量認證標準，同時(shí)在抗浪涌能力方面表現優(yōu)異，具備在非正常狀況下更強的耐受能力。目前，世紀金光碳化硅器件產(chǎn)品已廣泛應用于新能源汽車(chē)、充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域，未來(lái)在軍工領(lǐng)域應用潛力也十分巨大”

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碳化硅肖特基二極管

碳化硅MOSFET

全碳化硅功率模塊